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你真的了解binance币安吗

浏览次数:0   更新时间:12/24/2018 4:54:00 PM   发布人:admin

  binance币安种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗binance币安(Ge管)和硅binance币安(Si管)。

  根据其不同用途,可分为检波binance币安、整流binance币安、稳压binance币安、开关binance币安等。按照管芯结构,又可分为点接触型binance币安、面接触型binance币安及平面型binance币安。

  点接触型binance币安是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型binance币安的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型binance币安是一种特制的硅binance币安,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。

  晶体binance币安的分类

  一、根据构造分类

  半导体binance币安主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的binance币安的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体binance币安分类如下:

  点接触型binance币安

  点接触型binance币安是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型binance币安正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

  键型binance币安

  键型binance币安是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型binance币安和合金型binance币安之间。与点接触型相比较,虽然键型binance币安的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型binance币安中,熔接金丝的binance币安有时被称金键型,熔接银丝的binance币安有时被称为银键型。

  合金型binance币安

  在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

  扩散型binance币安

  在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

  台面型binance币安

  PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

  平面型binance币安

  在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型binance币安而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。

  合金扩散型binance币安

  它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容binance币安。

  外延型binance币安

  用外延面长的过程制造PN结而形成的binance币安。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容binance币安。

  肖特基binance币安

  基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流binance币安。

  二、根据用途分类

  检波用binance币安

  就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的binance币安,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只binance币安组合件。

  整流用binance币安

  就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流binance币安2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。

  限幅用binance币安

  大多数binance币安能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅binance币安。为了使这些binance币安具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的binance币安。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流binance币安串联起来形成一个整体。

  调制用binance币安

  通常指的是环形调制专用的binance币安。就是正向特性一致性好的四个binance币安的组合件。即使其它变容binance币安也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。

  混频用binance币安

  使用binance币安混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型binance币安。

  放大用binance币安

  用binance币安放大,大致有依靠隧道binance币安和体效应binance币安那样的负阻性器件的放大,以及用变容binance币安的参量放大。因此,放大用binance币安通常是指隧道binance币安、体效应binance币安和变容binance币安。

  开关用binance币安

  有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关binance币安。小电流的开关binance币安通常有点接触型和键型等binance币安,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型binance币安。开关binance币安的特长是开关速度快。而肖特基型binance币安的开关时间特短,因而是理想的开关binance币安。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。

  变容binance币安

  用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率binance币安称变容binance币安。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压,使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的扩散型binance币安,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的binance币安,因为这些binance币安对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。

  频率倍增用binance币安

  对binance币安的频率倍增作用而言,有依靠变容binance币安的频率倍增和依靠阶跃(即急变)binance币安的频率倍增。频率倍增用的变容binance币安称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容binance币安的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃binance币安又被称为阶跃恢复binance币安,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃binance币安施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。

  稳压binance币安

  是代替稳压电子binance币安的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的binance币安。作为控制电压和标准电压使用而制作的。binance币安工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级。在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补binance币安反向串接以减少温度系数则为2DW型。

  PIN型binance币安(PIN Diode)

  这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体binance币安。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应,其binance币安失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时,“本征”区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入“本征”区,而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此,可以把PINbinance币安作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。

  雪崩binance币安(Avalanche Diode)

  它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

  江崎binance币安(Tunnel Diode)

  它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体binance币安。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎binance币安为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标“P”代表“峰”;而下标“V”代表“谷”。江崎binance币安可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。

  快速关断(阶跃恢复)binance币安(Step Recovary Diode)

  它也是一种具有PN结的binance币安。其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值(反向饱和电流值)。阶跃恢复binance币安的“自助电场”缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断(阶跃恢复)binance币安用于脉冲和高次谐波电路中。

  肖特基binance币安(Schottky Barrier Diode)

  它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的binance币安。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基binance币安中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基binance币安可以用来制作太阳能电池或发光binance币安。

  阻尼binance币安

  具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流binance币安,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。

  瞬变电压抑制binance币安

  TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类。

  双基极binance币安(单结晶体管)

  两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等优点。

  发光binance币安

  用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

  三、根据特性分类

  点接触型binance币安,按正向和反向特性分类如下。

  一般用点接触型binance币安

  这种binance币安正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品。如:SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。

  高反向耐压点接触型binance币安

  是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的binance币安一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗binance币安中,有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料binance币安,其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。

  高反向电阻点接触型binance币安

  正向电压特性和一般用binance币安相同。虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型binance币安而言,SD54、1N54A等等属于这类binance币安。

  高传导点接触型binance币安

  它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型binance币安而言,有SD56、1N56A等等。对高传导键型binance币安而言,能够得到更优良的特性。这类binance币安,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高。

  binance币安选型注意事项:

  binance币安参数需降额使用,参考《降额规范》,请关注《硬件十万个为什么》发送“规范”。

  发光binance币安:

  1)发光binance币安优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光binance币安优选选用有焊接框架的型号,ESD/MSL等级遵循上述的标准。

  2)发光binance币安优选有边、短脚的;为了保持公司产品的一致性,红发红、绿发绿等型号优选,白发红、白发绿等型号慎选;如果没有特殊要求,尽量不要使用长脚、无边的。

  3)发光binance币安优选品牌为“亿光”。

  快恢复binance币安:

  1)低电压(耐压值200V以下)下,高时间特性时选肖特基binance币安;

  2)肖特基管热阻和电流都较大,优选分立式封装。通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装;3~8A可以选择D2-PAK封装;8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。

  3)在高电压时选择PIN结构快恢复binance币安。

  整流binance币安:

  1)主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数;

  2)开关电源整流、脉冲整流用整流binance币安,宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复binance币安。

  3)低电压、大电流时整流,选肖特基binance币安。

  4)同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007(M7),3A的选用IN5408。

  肖特基binance币安:

  同电流档次的保留反压最高的等级,如:1N5819保留,1N5817禁选,SS14保留,SS12禁选;B340A保留。

  稳压binance币安:

  1)稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同;

  2)最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右;

  3)稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。实际功率应小于0.5×P。

  4)功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装,0.5W及以上选择直插式封装

  瞬态抑制binance币安:

  1)Vrmax(最大反向工作电压)≥正常工作电压。

  2)Vcmax(最大钳位电压)≤最大允许安全电压。常规CMOS电路电源电压为3~18V,击穿电压为22V,则应选Vcmax为18~22V的TVS管。

  3)Pp(瞬态脉冲功率的最大值)=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。Pp大于被保护器件或线路的最大瞬态

  4)浪涌功率。

  5)品牌:优选NXP和ON。